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NXH100B120H3Q0PTG

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제조사 부품
NXH100B120H3Q0PTG
제조사
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
설명
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - igbts - 모듈
재고
13456
데이터시트 온라인
-
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tray
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:Trench Field Stop
  • 구성:2 Independent
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):1200 V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):50 A
  • 전력 - 최대:186 W
  • vce(on) (최대) @ vge, IC:2.3V @ 15V, 50A
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):200 µA
  • 입력 커패시턴스(cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • 입력:Standard
  • NTC 서미스터:No
  • 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Chassis Mount
  • 패키지/케이스:Module
  • 공급자 장치 패키지:22-PIM (55x32.5)
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