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DTA114WUAT106

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제조사 부품
DTA114WUAT106
제조사
ROHM Semiconductor
설명
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스
재고
14805
데이터시트 온라인
DTA114WUAT106 PDF
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:PNP - Pre-Biased
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):100 mA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):50 V
  • 저항기 - 베이스(r1):10 kOhms
  • 저항 - 이미 터베이스 (r2):4.7 kOhms
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:24 @ 10mA, 5V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):500nA
  • 주파수 - 전환:250 MHz
  • 전력 - 최대:200 mW
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지:UMT3
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