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2SK3666-3-TB-E

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제조사 부품
2SK3666-3-TB-E
제조사
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
설명
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - jFET
재고
19730
데이터시트 온라인
2SK3666-3-TB-E PDF
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 전압 - 항복(v(br)gss):-
  • 드레인-소스 전압(vdss):30 V
  • 전류 - 드레인(idss) @ vds(vgs=0):1.2 mA @ 10 V
  • 전류 드레인(id) - 최대:10 mA
  • 전압 - 차단(vgs 꺼짐) @ id:180 mV @ 1 µA
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:4pF @ 10V
  • 저항 - rds(on):200 Ohms
  • 전력 - 최대:200 mW
  • 작동 온도:150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지:3-CP
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