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NSVMMBTH10LT1G

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제조사 부품
NSVMMBTH10LT1G
제조사
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
설명
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf
재고
14741
데이터시트 온라인
NSVMMBTH10LT1G PDF
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:NPN
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):25V
  • 주파수 - 전환:650MHz
  • 잡음 지수(db typ @ f):-
  • 얻다:-
  • 전력 - 최대:225mW
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:60 @ 4mA, 10V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):-
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지:SOT-23
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