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CSD25211W1015

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제조사 부품
CSD25211W1015
제조사
Texas Instruments
설명
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
재고
17033
데이터시트 온라인
-
  • 시리즈:NexFET™
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:P-Channel
  • 기술:MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):20 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:3.2A (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):2.5V, 4.5V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:33mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:1.1V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:4.1 nC @ 4.5 V
  • vgs(최대):-6V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:570 pF @ 10 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):1W (Ta)
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:6-DSBGA (1x1.5)
  • 패키지/케이스:6-UFBGA, DSBGA
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