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TP65H480G4JSG-TR

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제조사 부품
TP65H480G4JSG-TR
제조사
Transphorm
설명
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
재고
18125
데이터시트 온라인
-
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압(vdss):650 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:3.6A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):8V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:560mOhm @ 3.4A, 8V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:2.8V @ 500µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:8 V @ 8 nC
  • vgs(최대):±18V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:400 V @ 760 pF
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):13.2W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:3-PQFN (5x6)
  • 패키지/케이스:3-SMD, Flat Lead
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